RS2130芯片采用5*5*1.2mm QFN封装形式，基于莱斯能特自主研发的创新型架构，ASIC及MEMS均采用车规工艺，量程为±2g至±16g，多档可选，XY轴噪声小于30 ug/sqrt(hz)，特别是在大带宽时噪声表现优异，48KHz ODR不开滤波器情况下总的输出RMS噪声小于5mg。在4kHz时延时小于100 us，芯片可直接对接A2B收发器，支持多种TDM模式，可配置性强，14位ADC输出。
广濑　　典型应用包括可再生能源（光伏、风力发电）变流器、轨道车辆（火车、地铁、有轨电车）的牵引系统和工业驱动 器的直流支撑电路。
传统方法通常采用调节脉冲宽度调制 (PWM) 占空比的方法来改变电流强度，会占用大量 MCU 资源。软启动方式能避免瞬态电流冲击，不占用 MCU 的状态和资源，还可以自主设置参数，让整个系统更加灵活高效。

这系列单片机具备丰富的周边资源，包括CAN、EBI、DIV、SPI、UART、USART、I?C、MCTM、GPTM、PWM、BFTM、RTC、CRC、CMP、内建具自动扫描功能的LED Controller、12-bit SAR ADC转换速度提升至2Msps并带有可配置电压VREF可作为内部参考电压源。封装提供32/46 QFN及48/64 LQFP，GPIO脚位达54。
该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和，无需应对多个分立式元件。
Nexperia优化了其40 V NextPowerS3 MOSFET，以提供与使用外部缓冲器电路可实现的相似的EMC性能，同时还提供更高的效率。这些MOSFET采用LFPAK56封装，适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。
这些功能有助于在参考平面（即被测设备的输入端）提供所需的功率电平。其中第一个功能是用户校正功能（UCOR），可在测试方案频率响应已知且稳定的情况下进行补偿。然而，仍有一些未知因素，尤其是当测试方案包括额外的有源设备如放大器时，此时放大器的频率响应会随电平或温度的变化而变化。R&S SMB100B提供的第二个功能是闭环功率控制，通过合适的 R&S NRP 功率传感器在所需的参考平面上持续测量 DUT 的输入电平，再反馈给信号发生器以相应调整输出功率，从而补偿所有这些变化。有关此用例的更多详情，请参阅应用笔记1GP141。
FCS866R基于可靠的SDIO 3.0接口，可实现高速、低功耗的数据无线传输，并支持-20 °C ~ +70 °C的工作温度；FCE863R则采用可靠的PCIe 1.1接口以同样实现高速、低功耗的Wi-Fi无线传输，同时支持-20°C ~+70°C的工作温度。此外，为适应更多工业场景的应用，FCE863R新增子型号，支持-40°C ~+85°C的工作温度，进一步拓宽了模组的应用场景。

而随着电动汽车技术的不断进步，对传感器性能的要求也越来越高，要求传感器不仅要具备出色的电磁兼容鲁棒性和杂散场抗干扰性，其解决方案还须具有成本效益并易于集成性。
广濑　　为此，村田通过特有的元件设计技术和陶瓷多层技术，利用行业首款负互感产品，开发了让电容器内部寄生电感与电路板内产生的寄生电感互相抵消的电源噪声抑制元件。通过连接1件本产品，实现用更少数量的电容器降低噪声，帮助节省整体空间。
　　凭借客户可配置的 PWM 或 SENT 输出，HAL/HAR 3936 能够提供灵活性，以适应各种应用场景需求。在 SENT 模式下，传感器遵循 SAE/J2716 Rev.4 标准，具备可配置的参数，如时间指示和帧格式。此外，该传感器具有两种功能模式，即应用模式和低功率模式，可通过输入信号进行选择，从而能够根据操作要求优化功耗。
　　59177系列磁簧开关采用9.0 mm x 2.5 mm x 2.4 mm (0.354″ x 0.098” x 0.094″）超小型尺寸，是Littelfuse产品组合中尺寸的包覆成型磁簧开关。 尽管体积小巧，但这款开关可在高达10 W的功率下处理高达170 Vdc或0.25 A的电流，确保在要求苛刻的应用中实现性能。