与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
魏德米勒代理商　　TSZ151 的增益带宽为1.6MHz，在5V电压时工作电流仅为210μA，产品定位介于意法半导体的400kHz TSZ121和3MHz TSZ181之间，为设计人员优化速度和功耗带来更多的选择和更高的灵活性。TSZ151兼备出色的速度功率比与很低的输入偏置电流 (300pA)。
　　据市场研究公司 TrendForce 称，GDDR7 是图形内存市场的下一个大热门。“随着新 GPU 进入验证阶段，内存公司正在逐步增加 GDDR7 的产量，目前 GDDR7 的价格比 GDDR6 高出 20% 至 30%”，TrendForce 表示。“预计第三季度 GDDR7 芯片出货量将略微提高内存的平均售价。”三星电子于 2023 年 7 月开发出业界首款 32Gbps GDDR7 D-RAM。

　　半导体检测以及数字化转型应用需要快速处理大量的数据与影像，以确保高效率的营运和的分析。这些应用对于数据处理速度、可靠性和精度有着极高的要求，进而支持实时决策和优化流程。
　　PSoCTM 4 HVPA-144K 的双高分辨率模数转换器（Σ-Δ型模数转换器）连同四个数字滤波通道一起通过测量电压、电流、温度等关键参数，实现对电池充电状态（SoC）和健康状态（SoH）的测量，测量精度高达±0.1%。该半导体器件拥有两个带有自动增益控制的可编程增益放大器（PGA），无需软件干预即可实现模拟前端的完全自主控制。与传统的霍尔传感器相比，采用分流式电流传感器的电池精度更高。
　　压敏电阻是处理电压严重异常情况的基本电路元件。在汽车应用中，它们可以保护精密的电子控制单元，是符合AEC-Q200和IEC 61000-4-2等汽车级安全标准的关键。
　　Coval的多级技术通过级联供应多个文丘里阶段的压缩空气，并结合它们各自的吸气流量，化压缩空气的能量利用。中间阀门逐步隔离每个阶段，以获得真空水平。这种技术能在低真空水平下生成重要的吸气流量。
　　BHDFN-9-1（底部散热器 DFN）是一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。其热阻为0.28 K/W，比肩或优于其他领先设备。BHDFN的外形尺寸为10×10 mm，虽然比常用的 TOLL 封装更小，但具有相似封装布局，因此也可以使用 TOLL 封装的 GaN 功率 IC 进行通用布局，便于使用和评估。

　　HAL/HAR 3936 提供双芯片型号 HAR 3936-4100，旨在提供经强化的冗余性和可靠性。利用堆叠式芯片架构，该型号通过占据相同的磁位来确保磁信号的同步测量。因此，它可以提供高分辨率的位置测量，并满足现代应用场景的严格精度要求。
魏德米勒代理商　　消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量化等多样化的发展趋势。而这些趋势都需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规 PCB设计，此类设计面临严格的空间限制，从而限制了外部元件的使用。为应对这些挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN? Drive产品系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。
凭借CYW20829产品系列的高集成度，设计人员能够减少多种应用的材料清单（BOM）成本和器件占板面积，包括个人电脑（PC）配件、低功耗音频、可穿戴设备、太阳能微型逆变器、资产追踪器、健康和生活方式、家庭自动化等。
　　禅思 H30T 支持三种红外增益模式，低增益模式、高增益模式及全新超清模式[7]。不同程度的增益模式作用不同，低增益模式提供更广的测温范围，高增益模式提供更精准的测温能力，超清模式画面清晰度更高，更有利于观察目标物体，在安防、应急、搜救等应用场景中更为实用。