提升图像传感器性能，逐渐弥合主摄像头和副摄像头之间的差距，从而在全角度提供一致的摄影体验，这已成为行业发展的新方向。”三星电子执行副总裁兼系统LSI传感器业务团队技术官Jesuk Lee表示，”我们将持续通过集成三星技术进展的图像传感器产品阵容，不断打破技术壁垒，并推进新的行业标准。
莫仕连接器该电路板支持Microchip的Mi-V生态系统、用于 Click Boards 的 MikroBUS 扩展头、一个 40 引脚 Raspberry Pi连接器以及MIPI视频连接器。扩展板可使用I2C和SPI等协议进行控制。它还包括一个嵌入式FP5编程器，用于FPGA结构编程和调试以及固件应用开发。
　　钛酸钡热敏电阻由瓷片组成，两端焊接镀锡CCS引线，涂有符合UL 94 V-0标准的耐高温硅树脂涂料。器件符合RoHS标准，经过C-UL-US，文件编号E148885，适于 AC和DC使用，提高并控制安全水平。PTCEL13R和PTCEL17R具有SPICE和3D两种型号。

　　为了满足现代应用日益增长的功率需求，该连接器可以提供每回路高达4A的额定电流。该高载流能力可以确保功率传输安全可靠，并能很好地满足各类先进技术对于高水平功率的要求。
　　PSOC Edge E8x系列的目标应用包括家电和工业设备中的人机界面（HMI）、智能家居和安全系统、机器人和可穿戴设备。这三个系列均支持通过语音/音频感应来实现激活和控制，其中E83和E84 MCU为先进HMI的实现提供了增强功能，包括机器学习唤醒、视觉位置检测和人脸/物体识别。PSOC Edge E84系列还在丰富的功能集基础上增加了低功耗图形显示（支持1028×768）。
　　这些低压差 (LDO) 稳压器让注重能耗的应用具有较高的电能转换效率。2μA零负载静态电流和 300nA逻辑控制关断模式，在常开待机系统中，有助于保护电池电量。在输出端上有一个小型陶瓷电容器，使得电压输出更加稳定。
　　TX3系列器件采用B（EIA 3528-21）和C（EIA 6032-28）封装，容值范围10 F至100 F，额定电压16 V至25 V，容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W，纹波电流为0.438 A，工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅（Pb）端子，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。
Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的RDSon温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDSon的标称值仅增加38%。

该前端提供信号调理和频率控制功能，驱动发射端的高分辨率PWM信号发生器，采用4.1V到24V直流电源，还包含MOSFET栅极驱动器和USB充电D+/D-接口。此外，STWBC2-HP系统封装SiP可以与意法半导体的STSAFE-A110安全单元配套，提供Qi兼容设备验证功能。
莫仕连接器用于各种电动汽车（xEV）的新型J3系列功率半导体模块，这些模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC-MOSFET） 或 RC-IGBT （Si）*1，具有紧凑的设计和可扩展性，可用于电动汽车 （EV） 和插电式混合动力汽车 （PHEV） 的逆变器。
　　具备高感光性能、低噪声、低功耗三大特点的SC038HGS图像传感器可大幅提升视觉信息的准确性和清晰度，实现在低照度环境下的高质量图像捕捉，从而提供更真实、更清晰的虚拟体验。
适于IrDA应用的升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 数据速率（SIR），链路距离为1米，适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。为提高便携式设备电池使用寿命，模块降低了功耗，闲置供电电流 < 70 μA，关断模式 < 1 μA。