无论是隔离还是非隔离型产品，静态工作电流均是 25μA，省电关断模式电流都低于 2μA。输入电压范围3.5V 至 38V，负载突降容限高达 40V，可防止主电源总线上的瞬变中断系统。新产品还有输出过压保护、过热保护和内部软启动功能。此外，可选的扩频操作模式有助于为噪声敏感型应用降低电磁干扰 (EMI)，并且电源正常引脚可实现电源排序功能。A6983I 和 A6983 支持芯片与外部时钟同步。
安普插头　　据IDC[i]预测，到2026年，有超过50%的商用SSD将采用QLC NAND闪存。基于此，深受市场信赖的高端存储品牌西部数据推出了此次强大的存储解决方案，旨在通过新一代QLC NAND技术为市场带来更高容量且更经济的SSD产品。凭借西部数据独特的垂直整合能力，新款西部数据PC SN5000S NVMe SSD进一步突破了技术的边界，实现了高性能、强大耐久性和高可靠性的结合，也为QLC技术树立了行业新标杆。
全新DDR5 服务器电源管理IC（PMIC）系列，包含适用于高性能应用的业界领先超高电流电源器件。凭借这一全新服务器 PMIC 系列，Rambus为模块制造商提供了完整的DDR5 RDIMM 内存接口芯片组，支持广泛的数据中心用例。

　　AI 工作负载需要高性能的存储解决方案。9550 SSD 凭借其卓越的顺序和随机读写速率为 AI 用例解锁了出众性能。例如，大型语言模型（LLM）需要高顺序读取速率，而图形神经网络（GNN）则需要高随机读取性能。美光 9550 SSD 在关键 AI 工作负载中的表现出色，工作负载完成时间可缩短高达 33%，在配备大加速器内存（BaM）的 GNN 训练中，特征聚合可提速高达 60%。 此外，美光 9550 SSD 还为 NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage 提供了高达 34% 的更高吞吐量。
多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。
禾迈推出了全球首台功率高达 5000 W 新品大微逆MiT（MIT-5000-8T 系列）。该微逆专为工业、商业和大型住宅项目设计，以其天然安心、天生安全、拓界安居、收益安稳等优势，完美适配超大功率组件，轻松应对复杂屋顶，为用户带来更安全、更安心、更安稳的解决方案。
全封闭型可抵抗电磁干扰，达到了 B 类 EMC 安全标准，符合医疗保健和住宅应用的要求。另外，该相机还拥有板载图像缓冲区，使每个拍摄的图像帧都可靠地传输到主机 CPU。
此外，三菱电机拥有覆盖宽容量逆变器的全面功率模块阵容，有助于延长EV和PHEV的续航里程和降低电力成本，从而为汽车电动化的进一步普及做出贡献。

它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压，即便在重复短路的情况下也具备出色的性能，并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器，和三相维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件能够优化性能，而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。
安普插头　　OIS是光学图像防抖稳定系统的简称，在摄像行业有比较广泛的应用，主要作用于数码相机、手机摄像头等，通过物理技术来实现镜头与机身产生抖动方向的补偿，使拍摄画面变得稳定。相较于传统的集成式OIS产品，MSD4100WA提供了更低成本的解决方案，通过内部集成的线性霍尔传感器替代了原有的高成本TMR/GaAs位置传感器，同时硬件PID电路的实现也省去了内部集成的MCU，从而大大降低了整体的硬件成本。
　　被称为合适的 Debian XFCE Linux 发行版的链接，它“AM67A 具有四核 64 位 Arm CPU 子系统、两个通用 DSP 和矩阵乘法加速器、GPU、视觉和深度学习加速器以及多个 Arm Cortex-R5 内核用于低延迟 GPIO 控制”。
　　为了在空间受限的应用中实现高效、实时的嵌入式电机控制系统，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC数字信号控制器（DSC）的新型集成电机驱动器系列。该系列器件在一个封装中集成了dsPIC33 数字信号控制器 （DSC）、一个三相MOSFET栅极驱动器和可选LIN 或 CAN FD 收发器。