与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
哈丁连接器　　凭借先进的图形处理能力，英特尔车载独立显卡可支持高保真视觉效果和复杂的 3D 人机界面（HMI），为用户带来流畅、身临其境的 3A游戏大作，反应灵敏、支持情境感知的AI助手，与沉浸式的 3D 人机界面。对于当今消费者渴望获得无缝衔接、增强交互式体验、引人入胜的车载娱乐系统的市场来说，这些都是至关重要的进步。
　　BridgeSwitch-2 IC的功率范围为30W至746W (1HP)，应用非常广泛，包括热交换器风扇、冰箱压缩机、流体循环泵、燃气锅炉燃烧风扇、洗衣机滚筒以及厨房搅拌机和搅拌器。相较于分立式设计，IHB架构省去了电流检测电阻和相关信号调整电路，元件数量减少了50%，PCB空间减少了30%。

　　此次，三菱电机将推出配备SiC-MOSFET或RC-IGBT（Si）的J3系列紧凑型模块，作为在汽车市场得到广泛应用的T-PM的一代产品，这两种模块使用相同的封装，使xEV驱动电机逆变器能够进一步缩小尺寸。
　　器件可编程中断功能便于设计人员设定中断阈值上下限，从而减少与微控制器连续通信。VCNL36828P使用智能抵消技术消除串扰，智能持续性设计确保准确探测并加快响应速度。VCSEL波长峰值为940 nm，无可见“红尾”。
　　HAL/HAR 3936 提供双芯片型号 HAR 3936-4100，旨在提供经强化的冗余性和可靠性。利用堆叠式芯片架构，该型号通过占据相同的磁位来确保磁信号的同步测量。因此，它可以提供高分辨率的位置测量，并满足现代应用场景的严格精度要求。
生成式AI等数据中心工作负载需要具有带宽和容量的服务器 RDIMM，以满足不断增长的数据管道日益增加的内存需求。随着新服务器 PMIC 系列的推出，我们扩展了现有的基础技术，并为客户带来了支持多代 DDR5 服务器平台的全套内存接口芯片组。
　　ACQUITY QDa II质谱检测器的设计理念可以使其无缝集成到现行实验室工作流程中，并具有与LC检测器相似的用户体验和外形规格。它提升了20%的质量范围，是一款设计简洁小巧的LC-MS仪器，能无缝集成到受严格监管的实验室环境中，确保分析的合规性。

　　Nothing 的均衡器通过 Nothing X 应用程序上的简单图形界面提供了更多定制化服务。用户可以通过 Q Factor 和频率控制来提升其听觉体验，并为不同的音乐流派创建独立的配置文件。当用户在 Nothing X 应用程序上创建个人音频配置文件时，根据听力测试结果，被记录的用户数据会被用于实时调整均衡器水平。
哈丁连接器AMD推出成本优化型 FPGA产品Spartan UltraScale+系列。该系列基于16nm FinFET工艺，主打更高的I/O数量、更低的功耗和强化的安全功能，并配套了从仿真到验证环节的设计工具，以满足下一代边缘端 I/O 密集型产品的应用需求。
　　无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压；在1分钟的标准雪崩测试中，NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流，实现业内领先的耐压和抗雪崩能力。
　　X Silent Edge Platinum作为业界首款达到850W与1100W的无风扇电源，除搭载酷冷自研的散热与电源方案之外，还通过英飞凌完整的解决方案，大幅提升转换效率，从而能够达成高性能机型的无风扇设计，可免去因风扇震动造成的噪音及灰尘问题，应用于无风扇系统中可达到10dB(A)以下的静音体验。