我们开发的配套栅极驱动板可与我们现有的 HPD 模块配合使用，为市场提供即插即用的 MEA 电源解决方案。有了这个解决方案，客户就不再需要设计和开发自己的驱动电路，从而可以减少设计时间、资源和成本。
itt cannon连接器官网全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。
　　为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。

此外，可读性从0.05g到100g不等，并可在不同的表面处理和量程范围从1.5kg到300kg之间进行选择。坚固耐用的设计还可用于2/22潜在爆炸区，在不久的将来还可用于1/21区。
其支持软件涵盖OpenSUSE Linux发行版、AndeSight 工具链、AndeSoft 软件堆栈和AndesAIRE NN SDK，用于将 AI/ML模型转换为在NX27V向量处理器上运行的可执行文件。
　　该产品系列包括三个系列，提供各种开关拓扑结构。PXI模块40-121系列提供两种SPST通用开关配置(13或26个)或2:1(8或16组)多路复用开关。PXI模块40-590系列和PXIe模块42-590系列，提供两款矩阵开关(8×4或16×4)。LXI模块65-290系列，基于Pickering公司的2U LXI模块化机箱(型号65-200)设计，多可容纳6个8×16或16×16矩阵开关模块。模块从机箱的前部推入，便于后期扩展和维护。
其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外，为了进一步扩展其SiC二极管产品组合，Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件，以提高设计灵活性。
　　PSoCTM 4 HVPA-144K所基于的Arm Cortex-M0+ MCU工作频率高达48 MHz，具有128 KB的代码闪存、8 KB的数据闪存和8 KB的SRAM，且全部带有ECC。PSoCTM HVPA-144K还包含多种数字外设，如四个定时器/计数器/PWM和一个可配置为I2C/SPI/UART的串行通信块。

　日前发布的发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr，比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15 ns，典型正向电压低至1.5 V，半强角只有± 10°，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中，TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。
itt cannon连接器官网　　意法半导体无线微控制器，例如，新的STM32WBA5系列，可以用于设计尺寸非常小的单片无线连接解决方案，降低物料成本和无线通信设计难度，缩短终端产品上市时间。此外，新产品线兼容STM32微控制器开发生态系统的开发工具和软件包，可以简化存量有线连接产品的无线化转型。
　　随着当今技术发展突飞猛进，对于结构紧凑、坚固耐用型多功能连接器系统的需求也更甚以往。在汽车行业，对于电池管理系统、摄像系统/传感器和动力转向等新技术的需求日益增多。此外，要求连接器不仅需满足严格的性能要求，还需在恶劣环境中发挥出色性能。
双层铝基板结构、传导冷却功率磁体和高效零电压开关（ZVS）拓扑结合在一起，确保了产品的高水平的效率和优异的热性能。因此，在对流冷却情况下功率可高达300W，传导冷却情况下可达到400W，从而实现密封环境下的运行、静音运行和高可靠性。