GDDR 是 JEDEC（联合电子设备工程委员会）制定的图形 D-RAM 标准规格。该内存专门用于快速图形处理。GDDR 已更新至 3、5、5X、6 和 7 代，一代具有更高的速度和更高的功率效率。近，它作为可用于图形以外的 AI 领域的高性能内存而备受关注。
hrs连接器官网　　144系列是Pickering额定功率高达80瓦产品中，尺寸的微型SIP舌簧继电器，结合了有效切换更高功率和特殊低电平性能的能力，是高功率和低电平开关的理想选择。非常适用于混合信号半导体测试机、光伏效率监控系统、新能源汽车和充电桩测试、采矿气体分析、医疗电子、在线测试设备和高压仪器仪表等。
该套件由NORA-B1无线MCU模块中的Nordic Semiconductor nRF5340无线片上系统 (SoC) 控制，可运行采用Nordic nRF Connect SDK或Zephyr开发环境开发的定制应用。该套件集成了多种传感器，包括温度、湿度、压力、环境光、磁力仪、陀螺仪、加速度和电池电量传感器。

　　出色的能效：美光 HBM3E 功耗比竞品低约 30%， 处于行业领先地位。为支持日益增长的人工智能需求和用例，HBM3E 以更低功耗提供更大吞吐量，从而改善数据中心的主要运营支出指标。
　以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。
　　ROM-2860具有13 TOPS的AI算力、支持双摄像头输入和硬件视频编解码，可满足各种嵌入式机器视觉需求。这种辅以人工智能功能的小尺寸解决方案在需要无缝视频捕获、低延迟信号、有限安装空间和抗振动能力的应用中表现出色。
此次推出的高压通用比较器系列产品，包括AWS72903 & AWS72931两个型号。该系列产品拥有高电压工作（可达36V）、开漏输出、低功耗、低输入失调电压、1.3us响应时间等优异性能，并且有内部偏置电路和补偿电路，可以提高比较器的稳定性和响应速度，广泛应用于机器人，工业控制等领域的电压检测、过流保护、开关控制等功能应用中。
MXO 5C系列也有四通道和八通道型号，带宽范围包括100 MHz、200 MHz、350 MHz、500 MHz、1 GHz 和 2 GHz 型号。对于有严苛应用需求的用户，还可提供各种升级选件，如带有混合信号示波器（MSO）选件的 16 个数字通道、集成式双通道 100 MHz 任意波形发生器、用于行业标准总线的协议解码和触发选件以及频率响应分析仪，以增强仪器的功能。

　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。
hrs连接器官网　　该器件将电子元件和传感器集成到一个标准的SO16 IC封装中。其中压阻元件配置为惠斯通电桥，电桥输出经放大后传送到模数转换级。然后，经16位数字信号处理器 (DSP) 进行温度补偿，并通过数模转换器提供模拟电压输出。模拟输出可以与现有标准传感器直接互操作，同时又保留了新型MEMS器件的优势。
　　ANDREA BRICCONI | CGD 商务官：“人工智能的爆炸性增长导致能源消耗的显著增加，促使数据中心系统设计师优先考虑将 GaN 用于高功率、高效的功率解决方案。CGD这一新系列 GaN 功率 IC 支持我们的客户和合作伙伴在数据中心实现超过100 kW/机架的功率密度，满足高密度计算的 TDP（热设计功率）趋势的要求。
TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。