此外，所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力，且短路耐受时间延长30%，以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制，因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。
harting连接器中国官网　　AT32A423系列整合高效模拟组件，提供5.33 Msps高速ADC、2组12-bit DAC和14个通道高速DMA控制器，提升数据交互传输效率，功能反馈更实时。为减化系统设计，片上集成多个通讯接口，提供8个USART，便于对接多种传感器，且TX/RX可配置引脚互换；带3个I?C，3个SPI，均可复用为半双工I?S模式；内建可校准的增强型RTC实时时钟，具有自动唤醒、闹钟、亚秒级精度、及硬件日历等功能，并支持高精度定时计数器，使其灵活运用扩展功能。
　　LEXI-R10系列小型LTE Cat 1bis模块为全球通信发展提供支持。全新SARA-R10系列可用于从传统2G/3G设计轻松迁移到新网络，并推出了具有全面室内/室外追踪功能的型号。

　　闪迪大师极客G-DRIVEArmorATD外置硬盘具备抗震、IP54级防水防尘及抗冲击性能，适合于各种地形的户外拍摄，能够将您在户外拍摄的宝贵影像资料安然无恙地带回工作室。无论您在何处探险，闪迪大师极客G-DRIVEArmorATD外置硬盘都能为您的照片、视频和文件备份提供可靠、便携的存储解决方案。
这是一款功能强大的网络工具，旨在帮助电池管理工程师限度地延长其应用的电池寿命或实现无电池应用。该计算器为工程师提供的数据，帮助他们做出明智的决策，以便将 Nexperia 的能量采集 PMIC 集成到其系统中。
　　同样，MGJ2B和MGJ1 SIP系列直流-直流转换器也非常适合桥式电路中的IGBT/SiC和MOSFET栅极驱动，MGJ1 SIP还支持+12V、+8V和+6V/-3V的GaN电压。这两个系列具有高隔离和2.4kV的连续非安全额定值。UL62368具有 300Vrms的增强绝缘，能够满足在CMTI大于200kV/?s的电机驱动器和逆变器中使用的桥式电路中常见的dv/dt要求。
新型封装是我们战略的一部分，为了使客户将我们的 ICeGaN 产品系列 GaN 功率 IC 用于服务器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用，获得它们带来的更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高、同时要求设备坚固可靠、易于设计。新型封装支持并扩展了ICeGaN 产品系列的这些固有特性。
　　该 NTC 传感器结构坚固耐用，不含铅和卤素，尺寸为 10 x 3 x 3 mm（长 x 宽 x 高），在 25 °C 时， B57850T0103F000 型的标称电阻为 10,000 Ω，容差为 1%，而 B57850T0103G000 型的容差为 2%。 连接电极由 磷青铜制成，可以通过活塞焊、激光焊、微电阻焊或 TIG 焊进行接触。

　　nRF9151 的软件和工具与 nRF9161 和 nRF9131 兼容，可以利用 Nordic 统一可扩展软件解决方案 nRF Connect SDK 中的相同调制解调器固件和支持，充许对 nRF9151 感兴趣的客户使用 nRF9161 DK 快速启动开发工作，并且在 nRF9151 上市后立即无缝过渡。
harting连接器中国官网　　Dubhe-70在功率、面积以及效率方面都拥有表现，与Arm Cortex-A55相比， Dubhe-70性能高出80%，能效比高出32%，面效比高出90%。与赛昉科技去年推出的主打高能效比的Dubhe-80相比，Dubhe-70的能效比提升21%，面效比提升5%。Dubhe-70可应对高性能场景下对功耗有着严苛要求的各类细分领域，涵盖工业控制、存储、移动终端、边缘终端、云终端、AI等。
　　CoolGaNBDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。
全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS(on) 级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL和 DPAK-7 封装以及.XT 封装互连技术。在Tvj = 25°C 时，其漏极-源极击穿电压为400 V，因此非常适合用于2级和3级转换器以及同步整流。这些元件在苛刻的开关条件下具有很高的稳健性，并且通过了100%的雪崩测试。