Sirius Wireless在射频IP领域表现突出，它是当前射频IP 公司中能迈入台积电的先进制程的同时还拥有Wi-Fi 7射频设计能力的公司。它提供的A+D die商务模式设计选择，为射频产业带来革新。通过思尔芯与Sirius Wireless共同提供的Wi-Fi 7 RF IP验证系统，降低了一般芯片设计公司进入Wi-Fi领域的门槛。
harting浩亭中国　　极低的输入失调电压 (Vio) 是高精度运算放大器 (运放) 的关键参数。在25°C时，TSZ151的 输入失调电压低于 7μV。在 -40°C 至 125°C 整个额定温度范围内，输入失调电压稳定在10μV以下。高稳定性有助于限度地减少定期重新校准次数，提高终端产品在整个生命周期内的可用性。
而随着电动汽车技术的不断进步，对传感器性能的要求也越来越高，要求传感器不仅要具备出色的电磁兼容鲁棒性和杂散场抗干扰性，其解决方案还须具有成本效益并易于集成性。

　　4x-321模块可以应用Pickering公司的eBIRST检测工具，可用于预防性维护测试，以确定继电器是否接近使用寿命。此外，eBIRST允许快速查找故障，从而限度地减少系统停机时间。每个开关模块都安装有一个备用继电器，使用户能够轻松地进行现场维修。 4x-321提供的驱动程序支持所有主流的软件编程环境和操作系统。
1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
因此，在要求高可靠性的设备中，为了提高谐波区域的噪声消除效果，通过将多个电容器并联连接来降低阻抗。然而，这需要提供能并联连接多个电容器的空间，这困扰着电子设备实现进一步的小型化。
　　PoE交换机通常有多达48个端口，每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96个MOSFET，小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。为此，Nexperia发布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封装的100 V PoE ASFET，与以前采用LFPAK33封装的版本相比，占用的空间减少了60%。
　　该系列的Thin-TOLL封装外形尺寸为 8×8 mm，具有市场上同类产品中领先的板上热循环（TCoB）能力。TOLT 封装是一种顶部散热（TSC）封装，其外形尺寸与 TOLL相似。这两种封装都能为开发者带来诸多优势。例如，在AI和服务器电源装置（PSU）中采用这两种封装，可以减少子卡的厚度和长度并允许使用扁平散热器。

　　芯片内部包括一个高精度带隙电路、一个模数转换器、一个带非易失性存储器的校准单元和两个DAC输出。温湿度模拟输出电压稳定，标准环境下温湿度输出电压抖动不超过0.01V。芯片精度高，输出电压分辨率可达1mV。测量温湿度响应速度快，而且模拟输出IO口驱动能力可达2mA.
harting浩亭中国采用 Intel Xeon 6 处理器（配备 P-cores）的系统将把人工智能工作负载的性能提高 2-3 倍*，内存带宽提高 2.8 倍*。未来使用 Intel Xeon 6 处理器（配备 E-cores）的系统预计将提供比前几代产品高 2.5 倍*的机架密度，每瓦特性能提高 2.4 倍*，从而将数据中心的 PUE 降低至低至 1.05。
　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。
　　在安全和法规层面上，TE的HDC浮动式充电连接器提供了手指触摸保护功能，有助于提升现场操作的安全性，而且其中的每款连接器都通过了UL 1977、TV和CE。此外，这些器件还符合EN 61984、IEC 60068、IEC 60512、IEC 60529、IEC 60664-1、EN 61373和ISO 6988标准。